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国度学问产权局信息清晰,北京朔方华创微电子装备有限公司获得一项名为“衬底沟槽刻蚀才智”的专利,授权公告号CN115547825B,央求日历为2022年9月。 天
府上清楚,朔方华创科技集团股份有限公司位于北京市经济时间诱骗区文昌大路8号5层,建设日历2001年9月28日,上市日历2010年3月16日,公司主买卖务触及半导
长江商报音信●长江商报记者徐佳 朔方华创、中微公司的供应商托伦斯精密制造(江苏)股份有限公司(以下简称“托伦斯”)正冲刺创业板IPO,日前完成首轮审核问询回话。
国度学问产权局信息深入,北京朔方华创微电子装备有限公司恳求一项名为“上电极结构及半导体工艺开辟”的专利,公开号CN121662694A,恳求日历为2024年9月
国度常识产权局信息显现,北京朔方华创微电子装备有限公司苦求一项名为“上电极结构及半导体工艺开荒”的专利,公开号CN121662694A,苦求日历为2024年9月
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